型号 | 制冷方式 | 光敏面积 | 光学增强 | 封装 | 最大入射角 | 窗口片 |
---|---|---|---|---|---|---|
PVMI-4TE-8-1x1 | 4TE,Tchip≈197K | 1mm x 1mm | 有 | TO8 或 TO66 | ~36° | wZnSeAR (3°硒化锌楔形窗口, 防反射镀膜) |
型号 | 波长范围 | 峰值波长 | 探测率 | 电流响应度 | 时间常数 | 动态电阻 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
λcut-on~λcut-off | λpeak | D*(λpeak,20KHz) | D*(λspec,20KHz) | Ri@λpeak | Ri@λspec | τ | Rd | |
μm | μm | cm·Hz1/2/W | A/W | ns | Ω | |||
PVMI-4TE-8-1x1 | 2.0~9.8 | 7.0±1.0 | 8.0x109 | ≥6.0x109 | 0.4 | ≥0.2 | 4 | ≥500 |